informatik

Štúdium: Elektrotechnická fakulta SVŠT Bratislava, 1971 

Pracoviská a významné funkcie: Tesla Piešťany, Elektrotechnický ústav SAV, Ústav informatiky SAV (predseda vedeckej rady)

Najdôležitejšie výsledky: Projekt CVD technológii Si3N4 a polySi vrstiev pre MNOS tranzistory a IO; Realizácia nízkoteplotných nióbových SQUIDOV pre meranie malých magnetických polí; Návrh a realizácia leptacích, plazmatických procesov; Príprava uhlíkových vrstiev pre masky iónovej litografie. 

Časopisecké publikácie, monografie, patenty, ohlasy: 59/1 kapitola/4/21; Najvýznamnejšie publikácie: Hudek, P., Hrkut, P., Drzik, M., Kostic, I., Belov, M., Torres J., Wasson, J., Wolfe, J., C., Degen, A., Rangelow, I., W., Voigt, J., Butschke, J., Letzkus, F., Springer, R., Ehrmann, A., Kaesmaier, R., Kragler, K., Mathuni, J., Haugeneder,E. , Loeschner, H. Directly sputtered stress-compensated carbon protective layer for silicon stencil masks. In: Journal of Vacuum Science Technology B [seriál]. - Vol. 17, no. 6 (1999), pp. 3127-3131; Hrkút, P., Hudek, P., Rangelov, I. W., Loeschner, H. Process for producing a carbon film on a substrate. US patent No. 6 136 160, (2000) 

Medzinárodné projekty: 3/27 

Významné ocenenia: Ocenenie na výstave NOVTECH 1995, Cena SAV za budovanie infraštruktúru pre vedu